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文献
J-GLOBAL ID：200902276872493791
整理番号：03A0836859
In1-xGaxN合金の優れた耐放射線性 全太陽スペクトル光起電材料系
Superior radiation resistance of In1-xGaxN alloys: Full-solar-spectrum photovoltaic material system
WU J
(Lawrence Berkeley National Lab., California)
,
WALUKIEWICZ W
(Lawrence Berkeley National Lab., California)
,
YU K M
(Lawrence Berkeley National Lab., California)
,
SHAN W
(Lawrence Berkeley National Lab., California)
,
HALLER E E
(Lawrence Berkeley National Lab., California)
,
LU H
(Cornell Univ., New York)
,
SCHAFF W J
(Cornell Univ., New York)
,
METZGER W K
(National Renewable Energy Lab., Colorado)
,
KURTZ S
(National Renewable Energy Lab., Colorado)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 94 号： 10 ページ： 6477-6482 発行年： 2003年11月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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