前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902277048547757
整理番号：09A0116021
ポリフルオレン-フェニレンベース発光ダイオードにおけるエレクトロルミネセンス劣化に与える電気的動作条件と活性層厚さの影響
Influence of electrical operating conditions and active layer thickness on electroluminescence degradation in polyfluorene-phenylene based light emitting diodes
ROMERO B.
(Dpto. Tecnologia Electronica, Universidad Rey Juan Carlos, C/Tulipan s/n, 28933 Mostoles, Madrid, ESP)
,
ARREDONDO B.
(Dpto. Tecnologia Electronica, Universidad Rey Juan Carlos, C/Tulipan s/n, 28933 Mostoles, Madrid, ESP)
,
ALVAREZ A.l.
(Dpto. Tecnologia Electronica, Universidad Rey Juan Carlos, C/Tulipan s/n, 28933 Mostoles, Madrid, ESP)
,
MALLAVIA R.
(Instituto de Biologia Molecular y Cellular, Universidad Miguel Hernandez, Av. del Ferrocarril, s/n Elche 03202 ...)
,
SALINAS A.
(Instituto de Biologia Molecular y Cellular, Universidad Miguel Hernandez, Av. del Ferrocarril, s/n Elche 03202 ...)
,
QUINTANA X.
(Dpto. Tecnologia Fotonica, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, ESP)
,
OTON J.m.
(Dpto. Tecnologia Fotonica, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, ESP)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 53 号： 2 ページ： 211-217 発行年： 2009年02月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。