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文献
J-GLOBAL ID：200902277426775968
整理番号：04A0447895
ガスソース分子ビームエピタクシーおよびホットワイヤセル法により成長させた歪んだSi1-yCy金属酸化物半導体電界効果トランジスタに関するキャラクタリゼーションおよび比較
Characterization and Comparison of Strained Si1-yCy Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy and Hot Wire Cell Method
WATAHIKI T
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
ISHIHARA H
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
ABE K
(Shinshu Univ., Nagano, JPN)
,
YAMADA A
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
KONAGAI M
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43 号： 4B ページ： 1882-1885 発行年： 2004年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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