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文献
J-GLOBAL ID：200902277464253541
整理番号：04A0587312
高温成長GaAsスペーサ層を用いた1.3μm多重層InAs量子ドットレーザの改良動作
Improved performance of 1.3μm multilayer InAs quantum-dot lasers using a high-growth-temperature GaAs spacer layer
LIU H Y
(Univ. Sheffield, GBR)
,
SELLERS I R
(Univ. Sheffield, GBR)
,
BADCOCK T J
(Univ. Sheffield, GBR)
,
MOWBRAY D J
(Univ. Sheffield, GBR)
,
SKOLNICK M S
(Univ. Sheffield, GBR)
,
GROOM K M
(Univ. Sheffield, GBR)
,
GUTIERREZ M
(Univ. Sheffield, GBR)
,
HOPKINSON M
(Univ. Sheffield, GBR)
,
BEANLAND R
(Bookham Technol. plc, Northamptonshire, GBR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 85 号： 5 ページ： 704-706 発行年： 2004年08月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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