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文献
J-GLOBAL ID：200902277473824616
整理番号：05A0239057
GaInNAs量子井戸を持つヘテロ構造のエレクトロルミネセンス性質
Electroluminescent Properties of Heterostructures with GaInNAs Quantum Wells
MUREL’ A V
(Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhni Novgorod, RUS)
,
DANIL’TSEV V M
(Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhni Novgorod, RUS)
,
DROZDOV YU N
(Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhni Novgorod, RUS)
,
GAPONOVA D M
(Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhni Novgorod, RUS)
,
SHASHKIN V I
(Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhni Novgorod, RUS)
,
SHMAGIN V B
(Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhni Novgorod, RUS)
,
KHRYKIN O I
(Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhni Novgorod, RUS)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 39 号： 1 ページ： 30-32 発行年： 2005年01月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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