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文献
J-GLOBAL ID：200902277776622773
整理番号：03A0571351
ホモエピタクシー成長3C-SiC膜上に作製したNチャネルMOSFET
N-Channel MOSFETs Fabricated on Homoepitaxy-Grown 3C-SiC Films
LEE K K
(Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN)
,
ISHIDA Y
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
OHSHIMA T
(Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN)
,
KOJIMA K
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
TANAKA Y
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
TAKAHASHI T
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
OKUMURA H
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
ARAI K
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KAMIYA T
(Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 24 号： 7 ページ： 466-468 発行年： 2003年07月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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