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文献
J-GLOBAL ID:200902277776622773   整理番号:03A0571351

ホモエピタクシー成長3C-SiC膜上に作製したNチャネルMOSFET

N-Channel MOSFETs Fabricated on Homoepitaxy-Grown 3C-SiC Films
著者 (9件):
LEE K K
(Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN)
ISHIDA Y
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
OHSHIMA T
(Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN)
KOJIMA K
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
TANAKA Y
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
TAKAHASHI T
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
OKUMURA H
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
ARAI K
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
KAMIYA T
(Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN)

資料名:
IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)

巻: 24  号:ページ: 466-468  発行年: 2003年07月 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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