文献
J-GLOBAL ID:200902277895161130
整理番号:03A0351755
表面組織化インジウムすず酸化膜透明オーミックコンタクトを用いたInGaN-GaN発光ダイオードの改善
Improvement of InGaN-GaN Light-Emitting Diodes With Surface-Textured Indium-Tin-Oxide Transparent Ohmic Contacts
著者 (5件):
PAN S-M
(Industrial Technol. Res. Inst., Taiwan, CHN)
,
TU R-C
(Industrial Technol. Res. Inst., Taiwan, CHN)
,
FAN Y-M
(Industrial Technol. Res. Inst., Taiwan, CHN)
,
YEH R-C
(Industrial Technol. Res. Inst., Taiwan, CHN)
,
HSU J-T
(Industrial Technol. Res. Inst., Taiwan, CHN)
資料名:
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻:
15
号:
5
ページ:
649-651
発行年:
2003年05月
JST資料番号:
T0721A
ISSN:
1041-1135
CODEN:
IPTLEL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)