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文献
J-GLOBAL ID：200902278098430342
整理番号：06A0177881
軽ドープ基板上の高誘電率の誘電体とTaNゲートを用いたGeのn-MOSFET
Ge n-MOSFETs on Lightly Doped Substrates With High-κ Dielectric and TaN Gate
BAI W. P.
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
LU N.
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
RITENOUR A.
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
,
LEE M. L.
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
,
ANTONIADIS D. A.
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
,
KWONG D.-L.
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 27 号： 3 ページ： 175-178 発行年： 2006年03月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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