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文献
J-GLOBAL ID：200902278198663891
整理番号：06A0300822
多重InGaN/GaN量子井戸層におけるV欠陥の構造と形成機構
Structure and formation mechanism of V defects in multiple InGaN/GaN quantum well layers
SHIOJIRI M.
(Kyoto Inst. of Technol., Kyoto 606-8585, Japan and Dep. of Anatomy, Kanazawa Medical Univ., Ishikawa 920-0293, JPN)
,
CHUO C. C.
(Opto-Electronics and Systems Laboratories, Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, Taiwan 310, Republic of China)
,
HSU J. T.
(Opto-Electronics and Systems Laboratories, Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, Taiwan 310, Republic of China)
,
YANG J. R.
(Inst. of Materials Sci. and Engineering, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan 106, Republic of China)
,
SAIJO H.
(Dep. of Electronics and Information Sci., Kyoto Inst. of Technol., Kyoto 606-8585, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 99 号： 7 ページ： 073505-073505-6 発行年： 2006年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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