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文献
J-GLOBAL ID：200902278236305899
整理番号：09A0429383
20nmのパターン化したGaAs上に成長させたInAs量子ドットに基づく赤外p-i-nフォトダイオード
Infrared p-i-n photodiodes based on InAs quantum dots grown on 20 nm patterned GaAs
ALIZADEH Azar
(GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA)
,
HAYS David
(GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA)
,
KEIMEL Chris
(GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA)
,
WATKINS Vicki H.
(GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA)
,
CONWAY Ken R.
(GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA)
,
TAYLOR Seth T.
(GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA)
,
NEANDER Rosalyn
(GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA)
,
DENAULT Lauraine
(GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA)
,
DESOUZA Christina
(Dep. of Material Sci., Univ. of Toronto, Ontario M5S 3E4, CAN)
,
SAVELIEV Igor
(Dep. of Material Sci., Univ. of Toronto, Ontario M5S 3E4, CAN)
,
BLUMIN Marina
(Dep. of Material Sci., Univ. of Toronto, Ontario M5S 3E4, CAN)
,
RUDA Harry E.
(Dep. of Material Sci., Univ. of Toronto, Ontario M5S 3E4, CAN)
,
BRAUNSTEIN Edit
(Lockheed Martin, Missiles and Fire Control, Orlando, Florida 32819, USA)
,
JONES Colin
(Lockheed Martin, Missiles and Fire Control, Orlando, Florida 32819, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 94 号： 16 ページ： 163112 発行年： 2009年04月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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