文献
J-GLOBAL ID:200902278236305899
整理番号:09A0429383
20nmのパターン化したGaAs上に成長させたInAs量子ドットに基づく赤外p-i-nフォトダイオード
Infrared p-i-n photodiodes based on InAs quantum dots grown on 20 nm patterned GaAs
著者 (14件):
ALIZADEH Azar
(GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA)
,
HAYS David
(GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA)
,
KEIMEL Chris
(GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA)
,
WATKINS Vicki H.
(GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA)
,
CONWAY Ken R.
(GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA)
,
TAYLOR Seth T.
(GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA)
,
NEANDER Rosalyn
(GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA)
,
DENAULT Lauraine
(GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA)
,
DESOUZA Christina
(Dep. of Material Sci., Univ. of Toronto, Ontario M5S 3E4, CAN)
,
SAVELIEV Igor
(Dep. of Material Sci., Univ. of Toronto, Ontario M5S 3E4, CAN)
,
BLUMIN Marina
(Dep. of Material Sci., Univ. of Toronto, Ontario M5S 3E4, CAN)
,
RUDA Harry E.
(Dep. of Material Sci., Univ. of Toronto, Ontario M5S 3E4, CAN)
,
BRAUNSTEIN Edit
(Lockheed Martin, Missiles and Fire Control, Orlando, Florida 32819, USA)
,
JONES Colin
(Lockheed Martin, Missiles and Fire Control, Orlando, Florida 32819, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
94
号:
16
ページ:
163112
発行年:
2009年04月20日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)