文献
J-GLOBAL ID:200902278445996718
整理番号:03A0465256
超薄Al2O3ゲート誘電体の堆積における電子サイクロトロン共鳴スパッタリングの利用
Using electron cyclotron resonance sputtering in the deposition of ultrathin Al2O3 gate dielectrics
著者 (4件):
JIN Y
(NTT Microsystem Integration Lab., Kanagawa, JPN)
,
SAITO K
(NTT Microsystem Integration Lab., Kanagawa, JPN)
,
SHIMADA M
(NTT Microsystem Integration Lab., Kanagawa, JPN)
,
ONO T
(NTT Microsystem Integration Lab., Kanagawa, JPN)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
21
号:
3
ページ:
942-948
発行年:
2003年05月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)