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文献
J-GLOBAL ID：200902278477501915
整理番号：04A0460508
パルスレーザ・アニーリングで作製したポリSiGe薄膜の電気的性質と構造
Electrical and structural properties of poly-SiGe film formed by pulsed-laser annealing
WATAKABE H
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
SAMESHIMA T
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
KANNO H
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
SADOH T
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
MIYAO M
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 95 号： 11,Pt.1 ページ： 6457-6461 発行年： 2004年06月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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