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文献
J-GLOBAL ID：200902278571143658
整理番号：07A0777162
直流アーク放電を用いたイオンめっきにより調製した厚さ100nm以下の低抵抗GaドープZnO薄膜
Low resistivity Ga-doped ZnO thin films of less than 100 nm thickness prepared by ion plating with direct current arc discharge
YAMADA Takahiro
(Kochi Univ. of Technol., 185, Miyanokuchi, Tosayamada, Kami, Kochi 782-8502, JPN)
,
MIYAKE Aki
(Kochi Univ. of Technol., 185, Miyanokuchi, Tosayamada, Kami, Kochi 782-8502, JPN)
,
KISHIMOTO Seiichi
(Kochi Univ. of Technol., 185, Miyanokuchi, Tosayamada, Kami, Kochi 782-8502, JPN)
,
MAKINO Hisao
(Kochi Univ. of Technol., 185, Miyanokuchi, Tosayamada, Kami, Kochi 782-8502, JPN)
,
YAMAMOTO Naoki
(Kochi Univ. of Technol., 185, Miyanokuchi, Tosayamada, Kami, Kochi 782-8502, JPN)
,
YAMAMOTO Tetsuya
(Kochi Univ. of Technol., 185, Miyanokuchi, Tosayamada, Kami, Kochi 782-8502, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 91 号： 5 ページ： 051915-051915-3 発行年： 2007年07月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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