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文献
J-GLOBAL ID：200902278591960997
整理番号：08A0930138
Zn-In-Oを基本とする薄膜トランジスタ:組成依存性
Zn-In-O based thin-film transistors: Compositional dependence
ITAGAKI N.
(Canon, Inc., Tokyo, JPN)
,
IWASAKI T.
(Canon, Inc., Tokyo, JPN)
,
KUMOMI H.
(Canon, Inc., Tokyo, JPN)
,
DEN T.
(Canon, Inc., Tokyo, JPN)
,
NOMURA K.
,
KAMIYA T.
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KAMIYA T.
,
HOSONO H.
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
HOSONO H.
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 205 号： 8 ページ： 1915-1919 発行年： 2008年08月
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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