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文献
J-GLOBAL ID:200902278591960997   整理番号:08A0930138

Zn-In-Oを基本とする薄膜トランジスタ:組成依存性

Zn-In-O based thin-film transistors: Compositional dependence
著者 (9件):
ITAGAKI N.
(Canon, Inc., Tokyo, JPN)
IWASAKI T.
(Canon, Inc., Tokyo, JPN)
KUMOMI H.
(Canon, Inc., Tokyo, JPN)
DEN T.
(Canon, Inc., Tokyo, JPN)
NOMURA K.
KAMIYA T.
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
KAMIYA T.
HOSONO H.
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
HOSONO H.

資料名:
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)

巻: 205  号:ページ: 1915-1919  発行年: 2008年08月 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 1862-6300  CODEN: PSSABA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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