文献
J-GLOBAL ID:200902279246651333
整理番号:03A0556975
ポリシリコンゲートHfO2 MOSFETのバイアス-温度不安定性
Bias-Temperature Instabilities of Polysilicon Gate HfO2 MOSFETs
著者 (9件):
ONISHI K
(IBM Microelectronics, NY, USA)
,
CHOI R
(Univ. Texas, TX, USA)
,
KANG C S
(Univ. Texas, TX, USA)
,
CHO H-J
(Univ. Texas, TX, USA)
,
KIM Y H
(Univ. Texas, TX, USA)
,
NIEH R E
(Samsung Austin Semiconductor, TX, USA)
,
HAN J
(Univ. Texas, TX, USA)
,
KRISHNAN S A
(Univ. Texas, TX, USA)
,
LEE J C
(Univ. Texas, TX, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
50
号:
6
ページ:
1517-1524
発行年:
2003年06月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)