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文献
J-GLOBAL ID：200902279787827981
整理番号：06A0255539
Si(100)基板上にモノリシック成長したGaSb量子井戸ベースの室温で光学的にポンプするVCSEL(垂直共振表面放射レーザ)
Room-temperature optically-pumped GaSb quantum well based VCSEL monolithically grown on Si(100) substrate
BALAKRISHNAN G.
(Univ. New Mexico, NM, USA)
,
HUANG S.H.
(Univ. New Mexico, NM, USA)
,
KHOSHAKHLAGH A.
(Univ. New Mexico, NM, USA)
,
JALLIPALLI A.
(Univ. New Mexico, NM, USA)
,
ROTELLA P.
(Univ. New Mexico, NM, USA)
,
AMTOUT A.
(Univ. New Mexico, NM, USA)
,
KRISHNA S.
(Univ. New Mexico, NM, USA)
,
HAINES C.P.
(Univ. New Mexico, NM, USA)
,
DAWSON L.R.
(Univ. New Mexico, NM, USA)
,
HUFFAKER D.L.
(Univ. New Mexico, NM, USA)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 42 号： 6 ページ： 350-352 発行年： 2006年03月16日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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