前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902279889565841
整理番号：07A0802361
ウエハ融解AlGaAs/GaAs/GaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける利得劣化機構
Gain degradation mechanisms in wafer fused AlGaAs/GaAs/GaN heterojunction bipolar transistors
LIAN Chuanxin
(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556)
,
XING Huili Grace
(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556)
,
WANG Chad S.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106)
,
BROWN David
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106)
,
MCCARTHY Lee
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 91 号： 6 ページ： 063502-1-063502-3 発行年： 2007年08月06日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。