文献
J-GLOBAL ID:200902280068024204
整理番号:05A0432588
マスクを被せたInP基板上に選択成長した歪InGaAlAs系多重量子井戸レーザ構造のマイクロビーム高分解能X線回折
Microbeam high-resolution x-ray diffraction in strained InGaAlAs-based multiple quantum well laser structures grown selectively on masked InP substrates
著者 (9件):
SIRENKO A. A.
(New Jersey Inst. of Technol., New Jersey)
,
KAZIMIROV A.
(Cornell Univ., New York)
,
HUANG R.
(Cornell Univ., New York)
,
BILDERBACK D. H.
(Cornell Univ., New York)
,
O’MALLEY S.
(New Jersey Inst. of Technol., New Jersey)
,
GUPTA V.
(TriQuint Optoelectronics, Pennsylvania)
,
BACHER K.
(TriQuint Optoelectronics, Pennsylvania)
,
KETELSEN L. J. P.
(TriQuint Optoelectronics, Pennsylvania)
,
OUGAZZADEN A.
(Univ. de Metz/Supelec, Metz, FRA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
97
号:
6
ページ:
063512.1-063512.7
発行年:
2005年03月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)