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文献
J-GLOBAL ID：200902280470390993
整理番号：09A0356846
分子線エピタクシーによって成長させたAlN薄膜の作製と急速熱アニーリング
Preparation and rapid thermal annealing of AlN thin films grown by molecular beam epitaxy
LIU B.
(Key Lab. of Acoustic and Photonic Materials and Devices of Ministry of Education, Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN)
,
LIU B.
(School of Physics and Technol., Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN)
,
GAO J.
(Key Lab. of Acoustic and Photonic Materials and Devices of Ministry of Education, Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN)
,
GAO J.
(School of Physics and Technol., Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN)
,
WU K.m.
(Key Lab. of Acoustic and Photonic Materials and Devices of Ministry of Education, Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN)
,
WU K.m.
(School of Physics and Technol., Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN)
,
LIU C.
(Key Lab. of Acoustic and Photonic Materials and Devices of Ministry of Education, Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN)
,
LIU C.
(School of Physics and Technol., Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN)
資料名：
Solid State Communications
(Solid State Communications)
巻： 149 号： 17-18 ページ： 715-717 発行年： 2009年05月
JST資料番号： H0499A ISSN： 0038-1098 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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