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文献
J-GLOBAL ID：200902280536926814
整理番号：09A0910377
非晶質のSiO2層中に埋め込まれたSiナノ結晶におけるPドナーに関する電子スピン共鳴によって研究した電子状態:水素による不動態化効果
Electronic States of P Donors in Si Nanocrystals Embedded in Amorphous SiO2Layer Studied by Electron Spin Resonance: Hydrogen Passivation Effects
MURAKAMI Kouichi
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
TSUJIMURA Masatoshi
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
SHIRAKAWA Ryota
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
UCHIDA Noriyuki
(Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
FUKATA Naoki
(National Inst. for Materials Sci.)
,
FUKATA Naoki
(JST-PRESTO, Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48 号： 8,Issue 1 ページ： 081201.1-081201.6 発行年： 2009年08月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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