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文献
J-GLOBAL ID：200902280555376507
整理番号：05A0624507
キャリア分離法を用いたhigh-k stackゲート絶縁膜のキャリア伝導及び絶縁性劣化機構の解析
Carrier separation analysis for clarifying carrier conduction and degradation mechanisms in high-k stack gate dielectrics
水林亘
(半導体MIRAI-産総研ASRC)
,
安田直樹
(半導体MIRAI-ASET)
,
岡田健治
(半導体MIRAI-ASET)
,
太田裕之
(半導体MIRAI-産総研ASRC)
,
堀川剛
(半導体MIRAI-産総研ASRC)
,
岩本邦彦
(半導体MIRAI-ASET)
,
生田目俊秀
(半導体MIRAI-ASET)
,
佐竹秀喜
(半導体MIRAI-ASET)
,
鳥海明
(半導体MIRAI-産総研ASRC)
,
鳥海明
(東大)
資料名：
電気学会電子材料研究会資料
(電気学会研究会資料)
巻： EFM-05 号： 22-34 ページ： 19-24 発行年： 2005年
JST資料番号： Z0970A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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