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文献
J-GLOBAL ID：200902280560122432
整理番号：09A0851356
Si(110)基板上に成長した組成的に一様および段状傾斜のSiGe膜における歪み緩和メカニズム
Strain relaxation mechanisms in compositionally uniform and step-graded SiGe films grown on Si(110) substrates
ARIMOTO Keisuke
(Center for Crystal Sci. and Technol., Univ. of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, Yamanashi 400-8511, JPN)
,
WATANABE Masato
(Center for Crystal Sci. and Technol., Univ. of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, Yamanashi 400-8511, JPN)
,
YAMANAKA Junji
(Center for Crystal Sci. and Technol., Univ. of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, Yamanashi 400-8511, JPN)
,
NAKAGAWA Kiyokazu
(Center for Crystal Sci. and Technol., Univ. of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, Yamanashi 400-8511, JPN)
,
SAWANO Kentarou
(Res. Center for Silicon Nano-Science, Advanced Res. Laboratories, Tokyo City Univ., 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku ...)
,
SHIRAKI Yasuhiro
(Res. Center for Silicon Nano-Science, Advanced Res. Laboratories, Tokyo City Univ., 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku ...)
,
USAMI Noritaka
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
,
NAKAJIMA Kazuo
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 53 号： 10 ページ： 1135-1143 発行年： 2009年10月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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