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文献
J-GLOBAL ID：200902280588882270
整理番号：09A0249603
AlGaN/GaNへテロ構造電界効果トランジスタに及ぼすSiNx堆積法の効果の比較研究
A comparative study of effects of SiNx deposition method on AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
HIGASHIWAKI Masataka
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
CHEN Zhen
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
CHU Rongming
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
PEI Yi
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
KELLER Stacia
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
MISHRA Umesh K.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
HIROSE Nobumitsu
(National Inst. of Information and Communications Technol., Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
,
MATSUI Toshiaki
(National Inst. of Information and Communications Technol., Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
,
MIMURA Takashi
(Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 94 号： 5 ページ： 053513 発行年： 2009年02月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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