文献
J-GLOBAL ID:200902280640763978
整理番号:03A0875526
X線定在波による非晶質Si/1単層Ge/Si(001)界面構造の評価
Characterization of amorphous-Si/1ML-Ge/Si(001) Interface Structure by X-ray Standing Waves
著者 (8件):
NAKATANI S
(Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
SUMITANI K
(Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
NOJIMA A
(Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
TAKAHASHI T
(Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
HIRANO K
(High Energy Accelerator Res. Organization, Ibaraki, JPN)
,
KOH S
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
IRISAWA T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SHIRAKI Y
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
42
号:
11
ページ:
7050-7052
発行年:
2003年11月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)