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文献
J-GLOBAL ID：200902280966932974
整理番号：08A0565548
欠陥誘導プラズマプロセスを使用して作られた室温カーボンナノチューブ単一電子トランジスタ
Room-Temperature Carbon Nanotube Single-Electron Transistors Fabricated Using Defect-Induced Plasma Process
IWASAKI Shin
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MAEDA Masatoshi
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
KAMIMURA Takafumi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MAEHASHI Kenzo
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
OHNO Yasuhide
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MATSUMOTO Kazuhiko
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47 号： 4 Issue 1 ページ： 2036-2039 発行年： 2008年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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