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文献
J-GLOBAL ID:200902280997123420   整理番号:04A0507805

転位のない窒化インジウムガリウム/窒化ガリウムの多量子井戸ナノロッドアレーによる高輝度発光素子

High-Brightness Light Emitting Diodes Using Dislocation-Free Indium Gallium Nitride/Gallium Nitride Multiquantum-Well Nanorod Arrays
著者 (8件):
KIM H-M
(Dongguk Univ., Seoul, KOR)
CHO Y-H
(Chungbuk National Univ., Cheongju, KOR)
LEE H
(Dongguk Univ., Seoul, KOR)
KIM S I
(Dongguk Univ., Seoul, KOR)
RYU S R
(Dongguk Univ., Seoul, KOR)
KIM D Y
(Dongguk Univ., Seoul, KOR)
KANG T W
(Dongguk Univ., Seoul, KOR)
CHUNG K S
(Kyunghee Univ., Yongin, KOR)

資料名:
Nano Letters  (Nano Letters)

巻:号:ページ: 1059-1062  発行年: 2004年06月 
JST資料番号: W1332A  ISSN: 1530-6984  CODEN: NALEFD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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