文献
J-GLOBAL ID:200902280997123420
整理番号:04A0507805
転位のない窒化インジウムガリウム/窒化ガリウムの多量子井戸ナノロッドアレーによる高輝度発光素子
High-Brightness Light Emitting Diodes Using Dislocation-Free Indium Gallium Nitride/Gallium Nitride Multiquantum-Well Nanorod Arrays
著者 (8件):
KIM H-M
(Dongguk Univ., Seoul, KOR)
,
CHO Y-H
(Chungbuk National Univ., Cheongju, KOR)
,
LEE H
(Dongguk Univ., Seoul, KOR)
,
KIM S I
(Dongguk Univ., Seoul, KOR)
,
RYU S R
(Dongguk Univ., Seoul, KOR)
,
KIM D Y
(Dongguk Univ., Seoul, KOR)
,
KANG T W
(Dongguk Univ., Seoul, KOR)
,
CHUNG K S
(Kyunghee Univ., Yongin, KOR)
資料名:
Nano Letters
(Nano Letters)
巻:
4
号:
6
ページ:
1059-1062
発行年:
2004年06月
JST資料番号:
W1332A
ISSN:
1530-6984
CODEN:
NALEFD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)