文献
J-GLOBAL ID:200902281082735764
整理番号:04A0308351
携帯機器用のゲート漏れ電流抑制回路を持つ90nm低電力32kB埋込みSRAM
A 90-nm Low-Power 32-kB Embedded SRAM With Gate Leakage Suppression Circuit for Mobile Applications
著者 (9件):
NII K
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
TSUKAMOTO Y
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
YOSHIZAWA T
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
IMAOKA S
(Renesas Device Design Corp., Hyogo, JPN)
,
YAMAGAMI Y
(Matsushita Electric Industrial Corp., Kyoto, JPN)
,
SUZUKI T
(Matsushita Electric Industrial Corp., Kyoto, JPN)
,
SHIBAYAMA A
(Matsushita Electric Industrial Corp., Kyoto, JPN)
,
MAKINO H
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
IWADE S
(Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
資料名:
IEEE Journal of Solid-State Circuits
(IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻:
39
号:
4
ページ:
684-693
発行年:
2004年04月
JST資料番号:
B0761A
ISSN:
0018-9200
CODEN:
IJSCBC
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)