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文献
J-GLOBAL ID：200902281125715797
整理番号：04A0770715
室温で製造した広帯域で高移動度のZnO薄膜トランジスター
Wide-bandgap high-mobility ZnO thin-film transistors produced at room temperature
FORTUNATO E M C
(New Univ., Lisbon and CEMOP-UNINOVA, Caparica, PRT)
,
BARQUINHA P M C
(New Univ., Lisbon and CEMOP-UNINOVA, Caparica, PRT)
,
PIMENTEL A C M B G
(New Univ., Lisbon and CEMOP-UNINOVA, Caparica, PRT)
,
GONCALVES A M F
(New Univ., Lisbon and CEMOP-UNINOVA, Caparica, PRT)
,
MARQUES A J S
(New Univ., Lisbon and CEMOP-UNINOVA, Caparica, PRT)
,
MARTINS R F P
(New Univ., Lisbon and CEMOP-UNINOVA, Caparica, PRT)
,
PEREIRA L M N
(New Univ., Lisbon and CEMOP-UNINOVA, Caparica, PRT)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 85 号： 13 ページ： 2541-2543 発行年： 2004年09月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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