文献
J-GLOBAL ID:200902281144451024
整理番号:06A0887476
32nmノードMOSFETのための非対称Raised Source/Drain Extension構造の提案
A Novel Asymmetric Raised Source/Drain Extension Structure for 32nm-node MOSFETs: An Ultimate Planar MOSFET
著者 (3件):
井本努
(ソニー 半導体事業グループテクノロジー開発本部)
,
舘下八州志
(ソニー 半導体事業グループテクノロジー開発本部)
,
小林敏夫
(ソニー 半導体事業グループテクノロジー開発本部)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
106
号:
255(VLD2006 39-50)
ページ:
37-42
発行年:
2006年09月19日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)