文献
J-GLOBAL ID:200902281344213560
整理番号:07A0154405
n-型AlxGa1-xNおよびInyGa1-yN合金のバンド端エネルギーおよび光電気化学的性質
Band-Edge Energies and Photoelectrochemical Properties of n-Type AlxGa1-xN and InyGa1-yN Alloys
著者 (7件):
FUJII Katsushi
(JST-ERATO, Tokyo, JPN)
,
ONO Masato
(Tokyo Univ., Sci., Tokyo, JPN)
,
ITO Takashi
(Tokyo Univ., Sci., Tokyo, JPN)
,
IWAKI Yasuhiro
(Tokyo Univ., Sci., Tokyo, JPN)
,
HIRAKO Akira
(JST-ERATO, Tokyo, JPN)
,
OHKAWA Kazuhiro
(JST-ERATO, Tokyo, JPN)
,
OHKAWA Kazuhiro
(Tokyo Univ., Sci., Tokyo, JPN)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
154
号:
2
ページ:
B175-B179
発行年:
2007年
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)