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文献
J-GLOBAL ID：200902281409119442
整理番号：08A0560487
イオン注入非晶質シリコンの応力印加固相エピタキシャル成長
Stressed solid-phase epitaxial growth of ion-implanted amorphous silicon
RUDAWSKI N.g.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, USA)
,
JONES K.s.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, USA)
,
GWILLIAM R.
(Nodus Accelerator Lab., Advanced Technol. Inst., Surrey Ion Beam Centre, Guildford, Surrey GU2 7XH, GBR)
資料名：
Materials Science & Engineering. R. Reports
(Materials Science & Engineering. R. Reports)
巻： 61 号： 1-6 ページ： 40-58 発行年： 2008年05月12日
JST資料番号： T0341A ISSN： 0927-796X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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