文献
J-GLOBAL ID:200902281457470038
整理番号:08A0979138
3.3kV 4H-SiC PiNダイオードのバイポーラ劣化に対する温度の影響
The effect of the temperature on the Bipolar Degradation of 3.3kV 4H-SiC PiN diodes
著者 (9件):
BROSSELARD P.
(CSIC, Barcelona, ESP)
,
PEREZ.TOMAS A.
(CSIC, Barcelona, ESP)
,
CAMARA N.
(CSIC, Barcelona, ESP)
,
HASSAN J.
(Norstel AB, Linkoeping, SWE)
,
JORDA X.
(CSIC, Barcelona, ESP)
,
VELLVEHI M.
(CSIC, Barcelona, ESP)
,
GODIGNON P.
(CSIC, Barcelona, ESP)
,
MILLAN J.
(CSIC, Barcelona, ESP)
,
BERGMAN J.P.
(Norstel AB, Linkoeping, SWE)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
20th
ページ:
237-240
発行年:
2008年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)