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文献
J-GLOBAL ID：200902281850881643
整理番号：04A0402814
ポリイミド・ゲート誘電体層を備えたペンタセンの電界効果トランジスターの高移動度
High mobility of pentacene field-effect transistors with polyimide gate dielectric layers
KATO Y
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
IBA S
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TERAMOTO R
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SEKITANI T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SOMEYA T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KAWAGUCHI H
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SAKURAI T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 84 号： 19 ページ： 3789-3791 発行年： 2004年05月10日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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