文献
J-GLOBAL ID:200902281978546030
整理番号:05A0637244
光CVD SiNxOy絶縁層を有するGaN MISキャパシタ
GaN MIS Capacitors with Photo-CVD SiNxOy Insulating Layers
著者 (7件):
CHANG S. J.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
WANG C. K.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
SU Y. K.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHANG C. S.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
LIN T. K.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
KO T. K.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
LIU H. L.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
152
号:
6
ページ:
G423-G426
発行年:
2005年
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)