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文献
J-GLOBAL ID：200902282421894652
整理番号：04A0047118
アンモニア熱法を用いたGaN結晶の成長
Crystal growth of GaN by ammonothermal method
YOSHIKAWA A
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OHSHIMA E
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
FUKUDA T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TSUJI H
(Mitsubishi Chemical Corp., Yokohama, JPN)
,
OSHIMA K
(Mitsubishi Chemical Corp., Yokohama, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 260 号： 1/2 ページ： 67-72 発行年： 2004年01月02日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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