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文献
J-GLOBAL ID：200902282473337239
整理番号：08A0578552
TaN/HfO2/AlNゲート積層を用いた自己整合エンハンスメント-モードIn0.53Ga0.47As系MOSFETの作製
Fabrication of Self-Aligned Enhancement-Mode In0.53Ga0.47As MOSFETs With TaN/HfO2/AlN Gate Stack
SHAHRJERDI Davood
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
ROTTER Thomas
(Univ. California at Los Angeles, CA, USA)
,
BALAKRISHNAN Ganish
(Univ. California at Los Angeles, CA, USA)
,
HUFFAKER Diana
(Univ. California at Los Angeles, CA, USA)
,
TUTUC Emanuel
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
BANERJEE Sanjay K.
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 29 号： 6 ページ： 557-560 発行年： 2008年06月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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