文献
J-GLOBAL ID:200902283010522327
整理番号:04A0320514
シリコン-オン-インシュレータ導波路のRaman増幅における二光子吸収で発生する自由キャリアの役目
Role of free carriers from two-photon absorption in Raman amplification in silicon-on-insulator waveguides
著者 (2件):
LIANG T K
(Chinese Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN)
,
TSANG H K
(Chinese Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
84
号:
15
ページ:
2745-2747
発行年:
2004年04月12日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)