文献
J-GLOBAL ID:200902283062754293
整理番号:07A0154447
けい酸ハフニウム系高誘電率ゲート誘電体中の深準位における電荷捕獲
Charge Trapping at Deep States in Hf-Silicate Based High-κ Gate Dielectrics
著者 (2件):
CHOWDHURY N. A.
(New Jersey Inst. Technol., New Jersey, USA)
,
MISRA D.
(New Jersey Inst. Technol., New Jersey, USA)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
154
号:
2
ページ:
G30-G37
発行年:
2007年
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)