文献
J-GLOBAL ID:200902283218535120
整理番号:07A0230231
二重Schottky型ラップゲートによって制御されるGaAsを基本とする三端子ナノワーヤ接合素子の作製と特性評価
Fabrication and characterization of a GaAs-based three-terminal nanowire junction device controlled by double Schottky wrap gates
著者 (4件):
NAKAMURA Tatsuya
(Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan ...)
,
KASAI Seiya
(Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan ...)
,
SHIRATORI Yuta
(Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan ...)
,
HASHIZUME Tamotsu
(Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan ...)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
90
号:
10
ページ:
102104-102104-3
発行年:
2007年03月05日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)