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文献
J-GLOBAL ID：200902283301917132
整理番号：09A0192158
金属/high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制
Impact of Additional Factors in Threshold Voltage Variability of Metal/High-k Gate Stacks and Its Reduction by Controlling Crystalline Structure and Grain Size in the Metal Gates
大毛利健治
(早稲田大 ナノ理工学研究機構 ナノテクノロジー研)
,
松木武雄
(半導体先端テクノロジーズ)
,
石川大
(半導体先端テクノロジーズ)
,
諸岡哲
(半導体先端テクノロジーズ)
,
網中敏夫
(半導体先端テクノロジーズ)
,
杉田義博
(半導体先端テクノロジーズ)
,
知京豊裕
(物質・材料研究機構)
,
白石賢二
(筑波大)
,
奈良安雄
(半導体先端テクノロジーズ)
,
山田啓作
(早稲田大 ナノ理工学研究機構 ナノテクノロジー研)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 108 号： 407(SDM2008 196-205) ページ： 1-4 発行年： 2009年01月19日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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