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文献
J-GLOBAL ID：200902283385733791
整理番号：07A0106186
Si(001)基板上におけるパターン化されたGeおよびSiGe層の歪緩和
Strain relaxation of patterned Ge and SiGe layers on Si(001) substrates
MOCHIZUKI Shogo
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SAKAI Akira
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
NAKATSUKA Osamu
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
KONDO Hiroki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
YUKAWA Katsunori
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
IZUNOME Koji
(Toshiba Ceramics Co., Ltd, Niigata, JPN)
,
SENDA Takeshi
(Toshiba Ceramics Co., Ltd, Niigata, JPN)
,
TOYODA Eiji
(Toshiba Ceramics Co., Ltd, Niigata, JPN)
,
OGAWA Masaki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ZAIMA Shigeaki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 22 号： 1 ページ： S132-S136 発行年： 2007年01月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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