文献
J-GLOBAL ID:200902283507200846
整理番号:08A0476824
Siナノワイヤを基にした全周ゲート不揮発性SONOSメモリセル
Si-Nanowire Based Gate-All-Around Nonvolatile SONOS Memory Cell
著者 (13件):
FU J.
,
SINGH N.
(Agency for Sci. Technol. and Res., Singapore)
,
BUDDHARAJU K. D.
(Agency for Sci. Technol. and Res., Singapore)
,
TEO S. H. G.
(Agency for Sci. Technol. and Res., Singapore)
,
SHEN C.
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
JIANG Y.
,
ZHU C. X.
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
YU M. B.
(Agency for Sci. Technol. and Res., Singapore)
,
LO G. Q.
(Agency for Sci. Technol. and Res., Singapore)
,
BALASUBRAMANIAN N.
(Agency for Sci. Technol. and Res., Singapore)
,
KWONG D. L.
(Agency for Sci. Technol. and Res., Singapore)
,
GNANI E.
(Univ. Bologna, Bologna, ITA)
,
BACCARANI G.
(Univ. Bologna, Bologna, ITA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
29
号:
5
ページ:
518-521
発行年:
2008年05月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)