文献
J-GLOBAL ID:200902283592700020
整理番号:05A0538204
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ内のi-GaN,n-GaN,p-GaN,InGaNキャップ層の効果に対する研究
Studies on the Influences of i-GaN, n-GaN, p-GaN and InGaN Cap Layers in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors
著者 (3件):
ARULKUMARAN Subramaniam
(Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN)
,
EGAWA Takashi
(Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN)
,
ISHIKAWA Hiroyasu
(Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
44
号:
5A
ページ:
2953-2960
発行年:
2005年05月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)