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文献
J-GLOBAL ID：200902283855263568
整理番号：09A1183747
プラズマ支援MBEで成長させたアンチモンドープSnO2単結晶薄膜の電子輸送特性
Electron transport properties of antimony doped SnO2 single crystalline thin films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
WHITE M. E.
(Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050, USA)
,
BIERWAGEN O.
(Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050, USA)
,
TSAI M. Y.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-9560, USA)
,
SPECK J. S.
(Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050, USA)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 106 号： 9 ページ： 093704 発行年： 2009年11月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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