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文献
J-GLOBAL ID：200902283872108347
整理番号：09A0334311
絶縁基板上の界面酸化物層を制御した,Si1-xGex(x:0~1)の結晶化
Interfacial-Oxide Layer Controlled Al-Induced Crystallization of Si1-xGex (x:0-1) on Insulating Substrate
KUROSAWA Masashi
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
TSUMURA Yoshitaka
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
SADOH Taizoh
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
MIYAO Masanobu
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48 号： 3,Issue 3 ページ： 03B002.1-03B002.5 発行年： 2009年03月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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