文献
J-GLOBAL ID:200902284081284601
整理番号:05A0197153
高分解能X線回折と計算機シミュレーションによるSi1-xGex/Si層とそれらのヘテロバイポーラトランジスタ構造の深さプロフィルのキャラクタリゼーション
Characterization of Si1-xGex/Si layers and depth profile of their heterobipolar transistor structures by high-resolution x-ray diffractometry and computer simulations
著者 (2件):
BHAGAVANNARAYANA G
(National Physical Lab., New Delhi, IND)
,
HALDER S K
(National Physical Lab., New Delhi, IND)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
97
号:
2
ページ:
024509.1-024509.6
発行年:
2005年01月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)