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文献
J-GLOBAL ID:200902284177081337   整理番号:07A0853001

低温焼結した銀のダイ付けによるSiCパワーデバイスの高温動作

High-Temperature Operation of SiC Power Devices by Low-Temperature Sintered Silver Die-Attachment
著者 (5件):
BAI John Guofeng
(Virginia Polytechnic Inst. and State Univ., VA, USA)
YIN Jian
(Virginia Polytechnic Inst. and State Univ., VA, USA)
ZHANG Zhiye
(Virginia Polytechnic Inst. and State Univ., VA, USA)
LU Guo-Quan
(Virginia Polytechnic Inst. and State Univ., VA, USA)
VAN WYK Jacobus Daniel
(Virginia Polytechnic Inst. and State Univ., VA, USA)

資料名:
IEEE Transactions on Advanced Packaging  (IEEE Transactions on Advanced Packaging)

巻: 30  号:ページ: 506-510  発行年: 2007年08月 
JST資料番号: W0590A  ISSN: 1521-3323  CODEN: ITAPFZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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