文献
J-GLOBAL ID:200902284309683552
整理番号:03A0552833
化学的気相成長法によるほぼ軸上の(0001)面における6H-SiCNホモエピタクシー 第2部:表面ステップの変化
Homoepitaxy of 6H-SiC on nearly on-axis (0001) faces by chemical vapor deposition Part II: Evolution of surface steps
著者 (3件):
NAKAMURA S
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KIMOTO T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
MATSUNAMI H
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
256
号:
3/4
ページ:
347-351
発行年:
2003年09月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)