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文献
J-GLOBAL ID：200902284589935837
整理番号：04A0758925
7.5MeV陽子照射による,超薄ゲート酸化膜FD-SOI nMOSFETにおける電気的性能の劣化とフローティングボディ効果
Degradation of electrical performance and floating body effect in ultra thin gate oxide FD-SOI n-MOSFETs by 7.5-MeV proton irradiation
HAYAMA K
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
,
TAKAKURA K
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
,
OHYAMA H
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
,
MERCHA A
(IMEC, Leuven, BEL)
,
SIMOEN E
(IMEC, Leuven, BEL)
,
CLAEYS C
(IMEC, Leuven, BEL)
,
RAFI J M
(Inst. Microelectronica de Barcelona (CNM-CSIC), Bellaterra, ESP)
,
KOKKORIS M
(NCSR ‘Demokritos’, Athens, GRC)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 44 号： 9/11 ページ： 1721-1726 発行年： 2004年09月
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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