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文献
J-GLOBAL ID：200902284744352665
整理番号：03A0393138
Si単電子トランジスタのしきい値電圧
Threshold Voltage of Si Single-Electron Transistor
FUJIWARA A
(NTT Corp., Atsugi, JPN)
,
HORIGUCHI S
(NTT Corp., Atsugi, JPN)
,
NAGASE M
(NTT Corp., Atsugi, JPN)
,
TAKAHASHI Y
(NTT Corp., Atsugi, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42 号： 4B ページ： 2429-2433 発行年： 2003年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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